Flash数据库

在上一步代码生成后，会出现User/flash_map.hpp，该文件记录了STM32的Flash地址映射表，格式如下：

#pragma once
// Auto-generated Flash Layout Map
// MCU: STM32F407IGH6

#include "main.h"

#include "stm32_flash.hpp"

constexpr LibXR::FlashSector FLASH_SECTORS[] = {
  {0x08000000, 0x00004000},
  {0x08004000, 0x00004000},
  {0x08008000, 0x00004000},
  {0x0800C000, 0x00004000},
  {0x08010000, 0x00010000},
  {0x08020000, 0x00020000},
  {0x08040000, 0x00020000},
  {0x08060000, 0x00020000},
  {0x08080000, 0x00020000},
  {0x080A0000, 0x00020000},
  {0x080C0000, 0x00020000},
  {0x080E0000, 0x00020000},
};

constexpr size_t FLASH_SECTOR_NUMBER = sizeof(FLASH_SECTORS) / sizeof(LibXR::FlashSector);

创建Flash对象

第一个模板参数是flash的总扇区数，第二个是数据库的起始扇区编号。FLASH_SECTOR_NUMBER - 1意味着取最后两个扇区。此对象提供了擦除和读写flash的接口。

  // app_main.cpp
  /* User Code Begin 3 */
  STM32Flash<FLASH_SECTOR_NUMBER, FLASH_SECTOR_NUMBER - 1> flash(FLASH_SECTORS);

创建数据库对象

对于STM32F1/F4等型号，使用DatabaseRaw。模板参数代表了flash的最小写入粒度。

LibXR::DatabaseRaw<4> database(flash);

对于STM32G4/L4等flash不支持逆序写入的型号，请使用DatabaseRawSequential。第二个参数为可选，代表最大缓冲区大小。

LibXR::DatabaseRawSequential database(flash, 128);

创建数据库键值

模板参数为键值存储的数据类型，第二个参数为键名，第三个参数为默认值。键值可自动转换成对应的类型，也可通过key.data_获取原始数据。

Database::Key<uint32_t> key1(database, "key1", 0);

写入数据库

key1.set(key1.data_ + 1);